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三安 集成电路是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台;具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力。

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三安 集成电路是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台;具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力。 在微波射频领域,当前已推出具有国际竞争力的 GaAs HBT 、pHEMT 等面向射频应用的先进制程工艺,已建成专业化、规模化的4 吋、6 吋化合物晶圆制造产线。 在电力电子领域,现已推出高可靠性,高功率密度的SiC 功率二极管及硅基氮化镓功率器件。 在光通讯领域, 已具备生产DFB、VCSEL、PD APD 等数通产品的能力,并面向3D sensing,红外LiDAR 等消费应用领域开发出高功率可见波段、红外波段VCSEL,及端面发光激光器(EEL)等应用产品。

过程中的应用

晶圆代工制程 制程系列 主要用途
HBT (砷化镓异质结双极型晶体管) H20HL (高线性制程)
  • 手机,无线宽带功率放大器
  • 手机,无线宽带低杂讯放大器增益器
    通讯信号切换器
    通讯微波器件
  • 增益器
  • 通讯信号切换器
  • 通讯微波器件
H20HR (高韧性制程)
pHEMT (砷化镓伪型态高电子迁移率晶体管)
P25ED (增强/耗尽混合型)
P25PA (功率型)
P25SW (低启动阻抗型)
SiC  SBD/MPS ( 碳化硅肖特基二极管) 快速回复肖特基二极管 绿能节能器件:
  • 消费电子产品的电源转换/反向器
  • 汽车/交通工具使用电源转换/反向器
  • 工业用大功率电源转换/反向器
GaN FET(氮化镓场效应晶体管) 耗尽型场效应三极管
增强型场效应三极管
 VCSEL 
垂直腔面发射激光器
  • 传感器/3D人脸识别/HDMI 
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